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IXFR64N50Q3
100
Fig. 7. Input Admittance
80
Fig. 8. Transconductance
90
70
T J = - 40oC
80
60
70
60
50
25oC
125oC
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
14
12
10
8
V DS = 250V
I D = 32A
I G = 10mA
80
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
10,000
Ciss
1,000
100
Coss
Crss
100
10
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
25μs
100μs
1ms
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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